机译:用Au / GaN肖特基接触的可变频率电容-电压特性探测GaN外延层的深能级中心
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机译:宽温度范围内AU / N-GaAs和Au / GaN / N-GaAs肖特基二极管电流 - 电压和电容 - 电压特性研究
机译:通过电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性和深能级瞬态光谱研究Au / n-Hg_3In_2Te_6肖特基接触的势垒高度和陷阱中心
机译:Hg / GaN肖特基接触电容-电压特性异常峰的分析
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:通过原位GaN纳米点形成生长的Au / HVPE a平面GaN模板形成的肖特基二极管的电子传输机制
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